ULTRARAM: от физики к производству — реальность и перспективы

Новое исследование ученых из Университета Аделаиды проливает свет на разрыв между передовыми научными разработками и их реальным внедрением в коммерческое производство. Доктор Доминик Лейн, адъюнкт-лектор Школы электротехники и машиностроения, представил результаты анализа технологии ULTRARAM — перспективной полупроводниковой памяти III–V группы, которая, по заявлениям разработчиков, должна сочетать скорость DRAM с энергонезависимостью флэш-памяти.

В своей публикации в Journal of Applied Physics доктор Лейн отмечает: «Несмотря на элегантность фундаментальной физики ULTRARAM, путь к ее коммерческой реализации по-прежнему преграждают серьезные материаловедческие и инженерные барьеры».

К таким барьерам относятся дефекты на интерфейсах, нестабильность захвата заряда и сложности с масштабированием производства. Эти факторы, по мнению эксперта, будут и дальше препятствовать массовому внедрению данной технологии.

ULTRARAM использует квантово-механические эффекты, такие как резонансный туннельный переход, позволяющий изменять проницаемость барьера при минимальных затратах энергии. Сочетание высокой скорости, энергоэффективности, долговечности и энергонезависимости делает ее привлекательным решением для широкого спектра цифровых устройств — от персональных компьютеров до крупных дата-центров.

«ULTRARAM преподносится как революционный прорыв в области памяти», — говорит доктор Лейн. — «Во время моей работы в Ланкастерском университете, где ULTRARAM была изначально разработана, я был одним из соизобретателей и создателем первых устройств ULTRARAM на кремниевых подложках. Однако разрыв между научной концепцией и возможностью масштабирования производства оказался сложнее, чем предполагалось».

«Без четкого пути к высокоэффективному производству бездефектных III–V структур на стандартных 300-миллиметровых кремниевых пластинах, интеграция ULTRARAM на системном уровне остается под вопросом», — добавляет он.

«Необходимо проводить открытые дискуссии, основанные на данных, прежде чем делать громкие коммерческие заявления. Следует уделять больше внимания инженерии интерфейсов III–V материалов и их интеграции, что является необходимым условием для любой жизнеспособной технологии памяти нового поколения», — заключает доктор Лейн.